Ge/Si APD Carrier Distribution
 


図3に示した光電流の逆バイアス依存性(赤い曲線)に対応して、デバイス内部でのキャリア(電子濃度、ホール濃度)特性を図5に記す。10V付近でSi側全ての領域が空乏化し、更に逆バイアスを増加させるとGe側にも空乏化が進むことがわかる。Si側が完全に空乏化される点で図3のV-I特性に変曲点が生じていることがわかる。


図5.キャリア分布(上図:電子、下図:ホール)の逆バイアス依存性