Ge/Si APD Carrier Distribution |
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| 図３に示した光電流の逆バイアス依存性（赤い曲線）に対応して、デバイス内部でのキャリア（電子濃度、ホール濃度）特性を図５に記す。10V付近でSi側全ての領域が空乏化し、更に逆バイアスを増加させるとGe側にも空乏化が進むことがわかる。Si側が完全に空乏化される点で図３のV-I特性に変曲点が生じていることがわかる。 | |
  図５．キャリア分布（上図：電子、下図：ホール）の逆バイアス依存性 |
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Ge/Si APD Carrier Distribution |
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| 図３に示した光電流の逆バイアス依存性（赤い曲線）に対応して、デバイス内部でのキャリア（電子濃度、ホール濃度）特性を図５に記す。10V付近でSi側全ての領域が空乏化し、更に逆バイアスを増加させるとGe側にも空乏化が進むことがわかる。Si側が完全に空乏化される点で図３のV-I特性に変曲点が生じていることがわかる。 | |
図５．キャリア分布（上図：電子、下図：ホール）の逆バイアス依存性 |
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