Ge/Si APD Other Device Parameters

Multiplication M(x):　x軸は図２及び図５の横軸に対応する。 R. P. Webbらによる定式化**によってイオン化比（ｋeff)を評価した。 Si及びGeの各領域の電子、ホールに対する衝突イオン化モデルは下の２式である。 　 増幅(multiplication)は次式である。 であり、イオン化比 (keff) を用いて以下のように表現できる。

図６．Intel が報告している構造でのGe/Si APDイオン化比の逆バイアス特性 　　　Nature Photonicsの論文ではkeff=0.09と記されている。上記の結果はその近似の妥当性を証明

**R. P. Webb, R. J. McIntyre, and J. Conradi,"Properties of avalanche photodiodes," RCA Rev., vol. 35, pp. 234-278, 1974.

図７．APD内部でのMultiplicationカーブ 　　　　(R. P. Webbらの上記論文で述べているように、空乏層領域で変化している。主としてSi側が関与している。）