Ge/Si APD Thermal Uquilibrium Solution
 


前頁の断面図を元に1次元デバイス構造を定義した。ヘテロ構造半導体輸送方程式の数値解析プログラム*を開発して、熱平衡状態の解を求めた結果を図2に示す。


図2.Intel Ge/Si APDの熱平衡解(バイアス、光を照射しない状態)

下記 InP/InGaAs APD解析と同様の定式化を行い、Si/Ge系APD解析プログラムを新規に開発した。
K. Yokoyama, M. Tomizawa, H. Kanbe and T. Sudo, "A numerical analysis of a heterostructure InP/InGaAs photodiode," IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-30, pp. 1283-1288, Oct. 1983.