リーキーモード計算 FAQへ戻る |
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| APSSはリーキーモード(Leaky Mode)の計算を行なうことができる。 表１はレーザプリンタ用GaAs系のレーザ（波長：826.5nm）の層構造である。 表１．参考としたデバイス構造
出展：特許出願広報（平1-117327）より 基板、キャップ層が高屈折率でありいわゆるリーキーモード解析が必要である。このモードを計算するためには複素数での計算を行なう。A-W1で示したように表１に基づき、構造定義を行なう。表１のn-GaAs (buffer)を基板として取り扱った。その結果、図１の結果を得た。  図１．構造低後の画面 図１で”Run Simulation” (赤丸)を選択すると図２のようにウインドウが開くので、波長と”Mesh Setting”でメッシュを設定して、”FD Mode Solver Setting” (青丸)のタブに切り替える。メッシュの設定に関してはA-W1を参照されたい。  図２．解法設定パネル  図３．解法設定パネル（続き） 図３の解法設定パネルで、モードとして”Complex” [複素数](赤丸)、境界条件としてPML(赤四角)を選択する。PMLの設定は、青丸の”Setting”をクリックすると、図４が比較ので、層数を設定する。実際の問題では、基板（下側：Xが小さい値）とキャップ側（上側：Xが大きい値）にリーキーモードとしてフィールドが延びる可能性があるので端のメッシュをある程度小さくし、モードが伸びるようであれば層数を増やすなどの調整が必要である。今回は図４のデフォルト値のままで問題なく良好な解が得られた。  図４．PML境界条件設計画面 図３で”Run”をクリックするとシミュレーションが始まる。シミュレーション後のフィールド分布は図５となり、リーキーモードまで含めて、コアにパワーが集中しているモード分布となっていることがわかる。  図５．得られたY偏波のモード分布 |