Ge/Si APD　アバランシェ・フォトダイオード用シミュレータ

通信波長の光吸収層をGeとし、CMOS微細加工技術を活用するGe/Si　ＡＰＤは注目されているシリコンフォトニクスのキーデバイスの一つであり、インテルをはじめ主要機関での研究開発が加速されている。当社では、InP系で培ったAPDシミュレーション技術を発展させ、高性能Ge/Si　APD設計に用いることができるシミュレータを開発した。

図１．Y. Kangら（インテル）が発表したGe/Si APD構造 　　　　（Y. Kang et al.,"Monolithic germanium/silicon avalanche photodiodes with 340GHz 　　　　gain-bandwidth product," Nature Photonics, vol. 3, pp. 59-63, Jan. 2009)

熱平衡解 電圧-電流特性 キャリア分布 その他のデバイスパラメータ

当社では、委託計算など、本分野のコンサルティング、ソフト開発のご要望にお応えします。InP/InGaAs系APDに関する委託計算、ソフト開発にも対応できます。これらの蓄積技術により、他の材料への展開につきましても、ご相談にのらせていただきます。